HTS200P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTS200P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HTS200P03
HTS200P03 Datasheet (PDF)
hts200p03.pdf

HTS200P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and In
hts200n03.pdf

HTS200N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness9.5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainSOIC-8 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number
Другие MOSFET... HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , IRFB4115 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , HTS500B03 , HTS600A06 .
History: 2N6792SM | AM7332N | 2SJ661-DL-E | ME2301A
History: 2N6792SM | AM7332N | 2SJ661-DL-E | ME2301A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640