Справочник MOSFET. HTS200P03

 

HTS200P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS200P03
   Маркировка: TS200P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS200P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:565K  cn hunteck
 hts200p03.pdf pdf_icon

HTS200P03

HTS200P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and In

 8.1. Size:889K  cn hunteck
 hts200n03.pdf pdf_icon

HTS200P03

HTS200N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness9.5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainSOIC-8 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVS65R240L8AD4TR | BUK9225-55A

 

 
Back to Top

 


 
.