HTS200P03 - описание и поиск аналогов

 

HTS200P03 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HTS200P03
   Маркировка: TS200P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS200P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS200P03 технические параметры

 ..1. Size:565K  cn hunteck
 hts200p03.pdf pdf_icon

HTS200P03

HTS200P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 26 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecoms and In

 8.1. Size:889K  cn hunteck
 hts200n03.pdf pdf_icon

HTS200P03

HTS200N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 9.5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain SOIC-8 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number

Другие MOSFET... HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , IRF3710 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , HTS500B03 , HTS600A06 .

History: CJAB60N03

 

 
Back to Top

 


 
.