HTS210C03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTS210C03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SO8

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HTS210C03 datasheet

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HTS210C03

HTS210C03 P-1 30V Dual N+P Channel Power MOSFET N-CH P-CH Feature 30 -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21 35 RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.5 -6 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free SOIC-8 D2 D2 D1 D1 Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motor G2 S2 G1 S1 D1 D2 Part Number Package Marki

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