HTS210C03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS210C03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для HTS210C03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS210C03 даташит

 ..1. Size:1199K  cn hunteck
 hts210c03.pdf pdf_icon

HTS210C03

HTS210C03 P-1 30V Dual N+P Channel Power MOSFET N-CH P-CH Feature 30 -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21 35 RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.5 -6 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free SOIC-8 D2 D2 D1 D1 Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motor G2 S2 G1 S1 D1 D2 Part Number Package Marki

Другие IGBT... HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03, 10N60, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06, HTS450P03, HTS500B03, HTS600A06, HTS600C06