Справочник MOSFET. HTS210C03

 

HTS210C03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS210C03
   Маркировка: TS210C03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
   Время нарастания (tr): 16 ns
   Выходная емкость (Cd): 88 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для HTS210C03

 

 

HTS210C03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  cn hunteck
 hts210c03.pdf

HTS210C03 HTS210C03

HTS210C03 P-130V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature30 -30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21 35RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness7.5 -6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marki

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top