Справочник MOSFET. HTS210C03

 

HTS210C03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS210C03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для HTS210C03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS210C03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  cn hunteck
 hts210c03.pdf pdf_icon

HTS210C03

HTS210C03 P-130V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature30 -30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21 35RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness7.5 -6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marki

Другие MOSFET... HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , IRFB4227 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 , HTS450P03 , HTS500B03 , HTS600A06 , HTS600C06 .

History: SQS400EN | GP1M018A020XX | LSD60R1K4HT | RU1C001ZP | AFP3413A | AO4718 | AO4818B

 

 
Back to Top

 


 
.