Справочник MOSFET. HTS210C03

 

HTS210C03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS210C03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS210C03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  cn hunteck
 hts210c03.pdf pdf_icon

HTS210C03

HTS210C03 P-130V Dual N+P Channel Power MOSFETN-CH P-CHFeature30 -30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21 35RDS(on),max m Enhanced Avalanche Ruggedness7.5 -6 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeSOIC-8D2D2D1D1Application Hard Switching and High Speed Circuit BLDC motorG2S2G1S1D1D2Part Number Package Marki

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: UT9564G-S08-R | UT75N03 | CEF30N3 | CEB85A3 | HUF76409P3 | CED16N10L | BUK7Y19-100E

 

 
Back to Top

 


 
.