SFB132N200C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFB132N200C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 401 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SFB132N200C3 datasheet

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SFB132N200C3

SFP135N200C3,SFB132N200C3 ENG N-MOSFET 200V, 11.3m , 95A Features Product Summary N-channel, normal level VDS 200V Enhanced avalanche ruggedness RDS(on) 11.3m Maximum 175 C junction temperature ID 95A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested DC/DC and AC/DC converters Brushed and BLDC Motor drive systems Battery powered systems SFP135N2

 9.1. Size:3129K  cn scilicon
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SFB132N200C3

SFP133N150AC2, SFB130N150AC2 N-MOSFET 150V, 12.5m , 120A Features Product Summary Enhancement Mode VDS 150V Very Low On-Resistance RDS(on) 12.5m Fast Switching ID 120A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Test

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