Справочник MOSFET. SFB132N200C3

 

SFB132N200C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFB132N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SFB132N200C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB132N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  cn scilicon
 sfp135n200c3 sfb132n200c3.pdf pdf_icon

SFB132N200C3

SFP135N200C3,SFB132N200C3ENGN-MOSFET 200V, 11.3m, 95AFeatures Product Summary N-channel, normal levelVDS 200V Enhanced avalanche ruggednessRDS(on) 11.3m Maximum 175C junction temperatureID 95A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested DC/DC and AC/DC converters Brushed and BLDC Motor drive systems Battery powered systemsSFP135N2

 9.1. Size:3129K  cn scilicon
 sfp133n150ac2 sfb130n150ac2.pdf pdf_icon

SFB132N200C3

SFP133N150AC2, SFB130N150AC2 N-MOSFET 150V, 12.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS150V Very Low On-Resistance RDS(on)12.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Test

Другие MOSFET... SFB083N80CC2 , SFB087N120C2 , SFB087N80C2 , SFB096N200C3 , SFB107N200C3 , SFB120N120B , SFB120N80A , SFB130N150AC2 , IRF1405 , SFB1800N650C2 , SFB205N200C3 , SFB347N100C2 , SFB60N100 , SFD025N30C2 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 .

 

 
Back to Top

 


 
.