SFB132N200C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFB132N200C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SFB132N200C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB132N200C3 даташит

 ..1. Size:732K  cn scilicon
 sfp135n200c3 sfb132n200c3.pdf pdf_icon

SFB132N200C3

SFP135N200C3,SFB132N200C3 ENG N-MOSFET 200V, 11.3m , 95A Features Product Summary N-channel, normal level VDS 200V Enhanced avalanche ruggedness RDS(on) 11.3m Maximum 175 C junction temperature ID 95A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested DC/DC and AC/DC converters Brushed and BLDC Motor drive systems Battery powered systems SFP135N2

 9.1. Size:3129K  cn scilicon
 sfp133n150ac2 sfb130n150ac2.pdf pdf_icon

SFB132N200C3

SFP133N150AC2, SFB130N150AC2 N-MOSFET 150V, 12.5m , 120A Features Product Summary Enhancement Mode VDS 150V Very Low On-Resistance RDS(on) 12.5m Fast Switching ID 120A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Test

Другие IGBT... SFB083N80CC2, SFB087N120C2, SFB087N80C2, SFB096N200C3, SFB107N200C3, SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, IRF830, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, SFB60N100, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2