SFB60N100 Todos los transistores

 

SFB60N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFB60N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SFB60N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  cn scilicon
 sfp60n100 sfb60n100 sfp350n100c2 sfb347n100c2.pdf pdf_icon

SFB60N100

SFP60N100,SFB60N100SFP350N100C2,SFB347N100C2N-MOSFET 100V, 30m, 36AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID36AApplications100% DVDS Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested Battery management UPS (Uninterrupible

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History: SML1001RHN | WMM12N80M3 | ISCNH346F | SI4947DY

 

 
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