SFB60N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFB60N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SFB60N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFB60N100 даташит

 ..1. Size:769K  cn scilicon
 sfp60n100 sfb60n100 sfp350n100c2 sfb347n100c2.pdf pdf_icon

SFB60N100

SFP60N100,SFB60N100 SFP350N100C2,SFB347N100C2 N-MOSFET 100V, 30m , 36A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID 36A Applications 100% DVDS Tested Motor control and drive 100% Avalanche Tested Battery management UPS (Uninterrupible

Другие IGBT... SFB107N200C3, SFB120N120B, SFB120N80A, SFB130N150AC2, SFB132N200C3, SFB1800N650C2, SFB205N200C3, SFB347N100C2, AON7403, SFD025N30C2, SFD070N60C2, SFD082N68C2, SFD085N80C2, SFD096N60BC2, SFD347N100C2, SFG014N100BC3, SFG019N100C3