SFG014N100BC3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG014N100BC3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: TO-247PLUS-4L

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SFG014N100BC3 datasheet

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SFG014N100BC3

SFG014N100BC3 N-MOSFET 100V, 1.1m , 280A Features Product Summary Low on resistance V 100V DS Low gate charge R 1.1m DS(on) typ. Fast switching I 408A D(Silicon Limited) High avalanche current I 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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SFG014N100BC3

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