SFG014N100BC3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFG014N100BC3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247PLUS-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFG014N100BC3

SFG014N100BC3 Datasheet (PDF)

..1. Size:860K cn scilicon
sfg014n100bc3.pdf

SFG014N100BC3 N-MOSFET 100V, 1.1m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.1m DS(on) typ. Fast switchingI 408A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

9.1. Size:659K cn scilicon
sfg019n100c3.pdf

SFG019N100C3 N-MOSFET 100V, 1.5m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.5m DS(on) typ. Fast switchingI 420A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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Liste

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