SFG014N100BC3 - аналоги и даташиты транзистора

 

SFG014N100BC3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SFG014N100BC3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: TO-247PLUS-4L
 

 Аналог (замена) для SFG014N100BC3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG014N100BC3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  cn scilicon
 sfg014n100bc3.pdf pdf_icon

SFG014N100BC3

SFG014N100BC3 N-MOSFET 100V, 1.1m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.1m DS(on) typ. Fast switchingI 408A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 9.1. Size:659K  cn scilicon
 sfg019n100c3.pdf pdf_icon

SFG014N100BC3

SFG019N100C3 N-MOSFET 100V, 1.5m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.5m DS(on) typ. Fast switchingI 420A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие MOSFET... SFB347N100C2 , SFB60N100 , SFD025N30C2 , SFD070N60C2 , SFD082N68C2 , SFD085N80C2 , SFD096N60BC2 , SFD347N100C2 , AO4468 , SFG019N100C3 , SFG025N150C3 , SFI085N68C2 , SFP024N80C3 , SFP024N80I3 , SFP026N100C3 , SFP026N30BC3 , SFP028N100C3 .

History: IRHN57250SE | SSM9585GM | HAT2184WP

 

 
Back to Top

 


 
.