SFG025N150C3 Todos los transistores

 

SFG025N150C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG025N150C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247PLUS-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFG025N150C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  cn scilicon
 sfg025n150c3.pdf pdf_icon

SFG025N150C3

SFG025N150C3 N-MOSFET 150V, 2.1m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 150V DS Low gate chargeR 2.1m DS(on) typ. Fast switchingI 392A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLP042N10G-P | FQA5N90 | FQA11N90CF109

 

 
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