SFG025N150C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFG025N150C3
   Código: 025N150C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 230 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247PLUS-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFG025N150C3

SFG025N150C3 Datasheet (PDF)

..1. Size:810K cn scilicon
sfg025n150c3.pdf

SFG025N150C3 N-MOSFET 150V, 2.1m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 150V DS Low gate chargeR 2.1m DS(on) typ. Fast switchingI 392A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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History: IXFN90N30

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: