Справочник MOSFET. SFG025N150C3

 

SFG025N150C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG025N150C3
   Маркировка: 025N150C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 230 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-247PLUS-4L

 Аналог (замена) для SFG025N150C3

 

 

SFG025N150C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  cn scilicon
 sfg025n150c3.pdf

SFG025N150C3 SFG025N150C3

SFG025N150C3 N-MOSFET 150V, 2.1m, 280AFeatures Product Summary Low on resistanceV 150V DS Low gate chargeR 2.1m DS(on) typ. Fast switchingI 392A D(Silicon Limited) High avalanche currentI 280A D(Package Limited) Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top