SFP090N120C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP090N120C2
Código: 090N120C2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFP090N120C2
SFP090N120C2 Datasheet (PDF)
sfp090n120c2 sfb087n120c2.pdf
SFP090N120C2,SFB087N120C2 N-MOSFET 120V, 7.5m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS120V Reliable and RuggedRDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices AvailableID120A(RoHS Compliant)100% DVDS TestedpplicationsA100% Avalanche TestedSwitching application Power Management for Inverter Systems.SFP090N120C2 SFB087N120C2N-Channel MOSFETPackage
sfp090n80c2 sfb087n80c2.pdf
SFP090N80C2,SFB087N80C2 N-MOSFET 80V, 7.4m, 80AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS80V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.4m Qualified according to JEDEC criteria ID80A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFP09
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf
SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
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Liste
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