SFP090N80C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SFP090N80C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFP090N80C2

SFP090N80C2 Datasheet (PDF)

..1. Size:4218K cn scilicon
sfp090n80c2 sfb087n80c2.pdf

SFP090N80C2,SFB087N80C2 N-MOSFET 80V, 7.4m, 80AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS80V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.4m Qualified according to JEDEC criteria ID80A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFP09

7.1. Size:8383K cn scilicon
sfp090n120c2 sfb087n120c2.pdf

SFP090N120C2,SFB087N120C2 N-MOSFET 120V, 7.5m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS120V Reliable and RuggedRDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices AvailableID120A(RoHS Compliant)100% DVDS TestedpplicationsA100% Avalanche TestedSwitching application Power Management for Inverter Systems.SFP090N120C2 SFB087N120C2N-Channel MOSFETPackage

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sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

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Liste

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