SFP090N80C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFP090N80C2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 76 nC
Время нарастания (tr): 63 ns
Выходная емкость (Cd): 380 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для SFP090N80C2
SFP090N80C2 Datasheet (PDF)
sfp090n80c2 sfb087n80c2.pdf
SFP090N80C2,SFB087N80C2 N-MOSFET 80V, 7.4m, 80AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS80V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 7.4m Qualified according to JEDEC criteria ID80A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFP09
sfp090n120c2 sfb087n120c2.pdf
SFP090N120C2,SFB087N120C2 N-MOSFET 120V, 7.5m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS120V Reliable and RuggedRDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices AvailableID120A(RoHS Compliant)100% DVDS TestedpplicationsA100% Avalanche TestedSwitching application Power Management for Inverter Systems.SFP090N120C2 SFB087N120C2N-Channel MOSFETPackage
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf
SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
