SDU02N25 Todos los transistores

 

SDU02N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDU02N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.28 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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SDU02N25 Datasheet (PDF)

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SDU02N25

GreenProductSDU/D02N25aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.250V 2A 3.2 @ VGS=10V Suface Mount Package.GSSDU SERIES SDD SERIESTO - 252AA(D-PAK) TO - 251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)

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SDU02N25

GreenProduct SDU/D02N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.600V 2A 4.7 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN

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SDU02N25

GreenSDU/D02N70ProductaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.700V 2A 5 @VGS=10VSuface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERING

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History: PHP8N50E | APT8018JN | SML8030CFN

 

 
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