SFQ030N80C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFQ030N80C2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1001 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247PLUS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFQ030N80C2
SFQ030N80C2 Datasheet (PDF)
sfq030n80c2.pdf
SFQ030N80C2 N-MOSFET 80V, 2.1m, 190AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS80V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 2.1m Qualified according to JEDEC criteria ID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ030N80C2Pa
sfq030n100c3.pdf
SFQ030N100C3 N-MOSFET 100V, 1.8m, 200AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 1.8m Qualified according to JEDEC criteria ID200A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ030N100C3
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Liste
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