SFQ030N80C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFQ030N80C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1001 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO247PLUS

Аналог (замена) для SFQ030N80C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFQ030N80C2 даташит

 ..1. Size:8324K  cn scilicon
 sfq030n80c2.pdf pdf_icon

SFQ030N80C2

SFQ030N80C2 N-MOSFET 80V, 2.1m , 190A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 80V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 2.1m Qualified according to JEDEC criteria ID 190A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies) SFQ030N80C2 Pa

 7.1. Size:7791K  cn scilicon
 sfq030n100c3.pdf pdf_icon

SFQ030N80C2

SFQ030N100C3 N-MOSFET 100V, 1.8m , 200A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 1.8m Qualified according to JEDEC criteria ID 200A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies) SFQ030N100C3

Другие IGBT... SFP133N150AC2, SFP135N200C3, SFP1800N650C2, SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, SFQ020N100C3, SFQ030N100C3, AO3407, SFQ230N100, SFT016N80C3, SFT018N100C3, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3, SFW027N100C3, SFW031N100C3