SFQ230N100 Todos los transistores

 

SFQ230N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFQ230N100
   Código: 230N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 69 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247PLUS
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFQ230N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7599K  cn scilicon
 sfq230n100.pdf pdf_icon

SFQ230N100

SFQ230N100 N-MOSFET 100V, 1.4m, 230AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 1.4m Qualified according to JEDEC criteria ID230A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ230N100Pa

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 9435 | SPA20N60C3 | 2SK3636 | WMJ26N65C4 | LSG60R1K4HT

 

 
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