SFQ230N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFQ230N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 3117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO247PLUS

Аналог (замена) для SFQ230N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFQ230N100 даташит

 ..1. Size:7599K  cn scilicon
 sfq230n100.pdf pdf_icon

SFQ230N100

SFQ230N100 N-MOSFET 100V, 1.4m , 230A Features Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on) typ. 1.4m Qualified according to JEDEC criteria ID 230A 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies) SFQ230N100 Pa

Другие IGBT... SFP135N200C3, SFP1800N650C2, SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, SFQ020N100C3, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, 18N50, SFT016N80C3, SFT018N100C3, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3, SFW027N100C3, SFW031N100C3, SFW042N100C3