SFT016N80C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFT016N80C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2142 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: TOLL

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SFT016N80C3 datasheet

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SFT016N80C3

SFT016N80C3 N-MOSFET 80V, 1.3m , 360A Features Product Summary Low on resistance V 80V DS Low gate charge R 1.3m DS(on)typ. Fast switching I 360A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC

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SFT016N80C3

SFT018N100C3 N-MOSFET 100V, 1.55m , 320A Features Product Summary Low on resistance V 100V DS Low gate charge R 1.55m DS(on)typ. Fast switching I 320A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management D

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