SFT016N80C3 Todos los transistores

 

SFT016N80C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFT016N80C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFT016N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:807K  cn scilicon
 sft016n80c3.pdf pdf_icon

SFT016N80C3

SFT016N80C3 N-MOSFET 80V, 1.3m, 360AFeatures Product Summary Low on resistanceV 80V DS Low gate chargeR 1.3m DS(on)typ. Fast switchingI 360A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC

 9.1. Size:911K  cn scilicon
 sft018n100c3.pdf pdf_icon

SFT016N80C3

SFT018N100C3 N-MOSFET 100V, 1.55m, 320AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.55m DS(on)typ. Fast switchingI 320A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management D

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History: FCH20N60 | IPB60R190C6 | VBZE50P03 | NCE65N260F

 

 
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