SFT016N80C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFT016N80C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2142 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFT016N80C3
SFT016N80C3 Datasheet (PDF)
sft016n80c3.pdf
SFT016N80C3 N-MOSFET 80V, 1.3m, 360AFeatures Product Summary Low on resistanceV 80V DS Low gate chargeR 1.3m DS(on)typ. Fast switchingI 360A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC
sft018n100c3.pdf
SFT018N100C3 N-MOSFET 100V, 1.55m, 320AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.55m DS(on)typ. Fast switchingI 320A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management D
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Liste
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