SFT018N100C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFT018N100C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1256 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: TOLL

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SFT018N100C3 datasheet

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SFT018N100C3

SFT018N100C3 N-MOSFET 100V, 1.55m , 320A Features Product Summary Low on resistance V 100V DS Low gate charge R 1.55m DS(on)typ. Fast switching I 320A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management D

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SFT018N100C3

SFT016N80C3 N-MOSFET 80V, 1.3m , 360A Features Product Summary Low on resistance V 80V DS Low gate charge R 1.3m DS(on)typ. Fast switching I 360A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC

Otros transistores... SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, SFQ020N100C3, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3, IRF520, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3, SFW027N100C3, SFW031N100C3, SFW042N100C3, SFW043N150C3, SFW072N150C2