Справочник MOSFET. SFT018N100C3

 

SFT018N100C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFT018N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1256 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для SFT018N100C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFT018N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  cn scilicon
 sft018n100c3.pdf pdf_icon

SFT018N100C3

SFT018N100C3 N-MOSFET 100V, 1.55m, 320AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.55m DS(on)typ. Fast switchingI 320A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management D

 9.1. Size:807K  cn scilicon
 sft016n80c3.pdf pdf_icon

SFT018N100C3

SFT016N80C3 N-MOSFET 80V, 1.3m, 360AFeatures Product Summary Low on resistanceV 80V DS Low gate chargeR 1.3m DS(on)typ. Fast switchingI 360A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC

Другие MOSFET... SFP210N200C3 , SFP350N100C2 , SFP60N100 , SFQ020N100C3 , SFQ030N100C3 , SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , CS150N03A8 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 , SFW027N100C3 , SFW031N100C3 , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 .

History: 2060K.

 

 
Back to Top

 


 
.