SFT018N100C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFT018N100C3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1256 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SFT018N100C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFT018N100C3 даташит

 ..1. Size:911K  cn scilicon
 sft018n100c3.pdf pdf_icon

SFT018N100C3

SFT018N100C3 N-MOSFET 100V, 1.55m , 320A Features Product Summary Low on resistance V 100V DS Low gate charge R 1.55m DS(on)typ. Fast switching I 320A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management D

 9.1. Size:807K  cn scilicon
 sft016n80c3.pdf pdf_icon

SFT018N100C3

SFT016N80C3 N-MOSFET 80V, 1.3m , 360A Features Product Summary Low on resistance V 80V DS Low gate charge R 1.3m DS(on)typ. Fast switching I 360A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC

Другие IGBT... SFP210N200C3, SFP350N100C2, SFP60N100, SFQ020N100C3, SFQ030N100C3, SFQ030N80C2, SFQ230N100, SFT016N80C3, K3569, SFW024N100C3, SFW025N100C3, SFW025N100I3, SFW027N100C3, SFW031N100C3, SFW042N100C3, SFW043N150C3, SFW072N150C2