Справочник MOSFET. SFT018N100C3

 

SFT018N100C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFT018N100C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1256 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFT018N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  cn scilicon
 sft018n100c3.pdf pdf_icon

SFT018N100C3

SFT018N100C3 N-MOSFET 100V, 1.55m, 320AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 1.55m DS(on)typ. Fast switchingI 320A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management D

 9.1. Size:807K  cn scilicon
 sft016n80c3.pdf pdf_icon

SFT018N100C3

SFT016N80C3 N-MOSFET 80V, 1.3m, 360AFeatures Product Summary Low on resistanceV 80V DS Low gate chargeR 1.3m DS(on)typ. Fast switchingI 360A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/DC

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.