SFW043N150C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFW043N150C3
Código: 043N150C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 429 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 206 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 745 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0043 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFW043N150C3
SFW043N150C3 Datasheet (PDF)
sfp046n150c3 sfb043n150c3 sfw043n150c3.pdf
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SFP046N150C3,SFB043N150C3,SFW043N150C3 N-MOSFET 150V, 3.9mProduct SummaryFeatures High Speed Power Smooth Switching VDS150V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 3.9m Enhanced Avalanche RuggednessIR 206AD (Sillicon Limited)Applications100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit100% Avala
sfw042n100c3.pdf
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SFW042N100C3 N-MOSFET 100V, 3.4m, 160AFeaturesProduct Summary Enhancement Mode VDS100V Very Low On-Resistance RDS(on)3.4m Fast Switching ID 160A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested DC/DC C
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