SFW043N150C3 Todos los transistores

 

SFW043N150C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFW043N150C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 206 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de SFW043N150C3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SFW043N150C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6396K  cn scilicon
 sfp046n150c3 sfb043n150c3 sfw043n150c3.pdf pdf_icon

SFW043N150C3

SFP046N150C3,SFB043N150C3,SFW043N150C3 N-MOSFET 150V, 3.9mProduct SummaryFeatures High Speed Power Smooth Switching VDS150V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 3.9m Enhanced Avalanche RuggednessIR 206AD (Sillicon Limited)Applications100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit100% Avala

 9.1. Size:1345K  cn scilicon
 sfw042n100c3.pdf pdf_icon

SFW043N150C3

SFW042N100C3 N-MOSFET 100V, 3.4m, 160AFeaturesProduct Summary Enhancement Mode VDS100V Very Low On-Resistance RDS(on)3.4m Fast Switching ID 160A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested DC/DC C

Otros transistores... SFT016N80C3 , SFT018N100C3 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , SFW025N100I3 , SFW027N100C3 , SFW031N100C3 , SFW042N100C3 , IRF520 , SFW072N150C2 , SFW082N165C3 , SFW095N200C3 , SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 .

History: WMO13N50C4 | IPD640N06L | 2SK767

 

 
Back to Top

 


 
.