Справочник MOSFET. SFW043N150C3

 

SFW043N150C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFW043N150C3
   Маркировка: 043N150C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 429 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 206 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
   Время нарастания (tr): 24 ns
   Выходная емкость (Cd): 745 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для SFW043N150C3

 

 

SFW043N150C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6396K  cn scilicon
sfp046n150c3 sfb043n150c3 sfw043n150c3.pdf

SFW043N150C3 SFW043N150C3

SFP046N150C3,SFB043N150C3,SFW043N150C3 N-MOSFET 150V, 3.9mProduct SummaryFeatures High Speed Power Smooth Switching VDS150V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 3.9m Enhanced Avalanche RuggednessIR 206AD (Sillicon Limited)Applications100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit100% Avala

 9.1. Size:1345K  cn scilicon
sfw042n100c3.pdf

SFW043N150C3 SFW043N150C3

SFW042N100C3 N-MOSFET 100V, 3.4m, 160AFeaturesProduct Summary Enhancement Mode VDS100V Very Low On-Resistance RDS(on)3.4m Fast Switching ID 160A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested DC/DC C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top