SFW097N200C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFW097N200C3
Código: 097N200C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 375 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 135 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 195 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 425 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0096 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFW097N200C3
SFW097N200C3 Datasheet (PDF)
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf
SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
sfw095n200c3.pdf
SFW095N200C3 N-MOSFET 200V, 7.9m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 7.9m DS(on)typ Fast switchingI 135A D(silicon limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/D
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