SFW097N200C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFW097N200C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFW097N200C3
SFW097N200C3 Datasheet (PDF)
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf
SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems
sfw095n200c3.pdf
SFW095N200C3 N-MOSFET 200V, 7.9m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 7.9m DS(on)typ Fast switchingI 135A D(silicon limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/D
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Liste
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