Справочник MOSFET. SFW097N200C3

 

SFW097N200C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFW097N200C3
   Маркировка: 097N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 135 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 195 nC
   Время нарастания (tr): 32 ns
   Выходная емкость (Cd): 425 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для SFW097N200C3

 

 

SFW097N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  cn scilicon
sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf

SFW097N200C3
SFW097N200C3

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 9.1. Size:876K  cn scilicon
sfw095n200c3.pdf

SFW097N200C3
SFW097N200C3

SFW095N200C3 N-MOSFET 200V, 7.9m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 7.9m DS(on)typ Fast switchingI 135A D(silicon limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/D

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P55NF06 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top