SFW097N200C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFW097N200C3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SFW097N200C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW097N200C3 даташит

 ..1. Size:1237K  cn scilicon
 sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf pdf_icon

SFW097N200C3

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m , 135A Features Product Summary Low on resistance V 200V DS Low gate charge R 8.5m DS(on) typ. Fast switching I 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 9.1. Size:876K  cn scilicon
 sfw095n200c3.pdf pdf_icon

SFW097N200C3

SFW095N200C3 N-MOSFET 200V, 7.9m , 135A Features Product Summary Low on resistance V 200V DS Low gate charge R 7.9m DS(on)typ Fast switching I 135A D(silicon limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances 100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/D

Другие IGBT... SFW025N100I3, SFW027N100C3, SFW031N100C3, SFW042N100C3, SFW043N150C3, SFW072N150C2, SFW082N165C3, SFW095N200C3, IRL3713, SFW107N200C3, SFW132N200I3, SFW1800N650C2, SFW280N600BC4, SFW280N600C4, SLC500MM10SCT2, SLC500MM15SHN2, SLC500MM20SHN2