SLC500MM10SCT2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SLC500MM10SCT2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 694 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 500 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 500 nC
   Tiempo de subida (tr): 240 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4700 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLC500MM10SCT2

SLC500MM10SCT2 Datasheet (PDF)

..1. Size:735K cn scilicon
slc500mm10sct2.pdf

SLC500MM10SCT2100V NMOSFET500AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=500ARDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling Ap

5.1. Size:717K cn scilicon
slc500mm15shn2.pdf

SLC500MM15SHN2150V NMOSFET500AAutomotive 150 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=150VID nom=500ARDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

6.1. Size:810K cn scilicon
slc500mm20shn2.pdf

SLC500MM20SHN2200V NMOSFET500AAutomotive 200 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=200VID nom=500ARDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

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Liste

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