SLC500MM10SCT2 Todos los transistores

 

SLC500MM10SCT2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLC500MM10SCT2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 694 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 500 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: MODULE

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SLC500MM10SCT2 datasheet

 ..1. Size:735K  cn scilicon
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SLC500MM10SCT2

SLC500MM10SCT2 100V N MOSFET 500A Automotive 100 V N-Channel MOSFET, 500A Half-Bridge Power Module. VDSS=100V ID nom=500A RDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness Halfbridge Easy paralleling Ap

 5.1. Size:717K  cn scilicon
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SLC500MM10SCT2

SLC500MM15SHN2 150V N MOSFET 500A Automotive 150 V N-Channel MOSFET, 500A Half-Bridge Power Module. VDSS=150V ID nom=500A RDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness Halfbridge Easy paralleling App

 6.1. Size:810K  cn scilicon
 slc500mm20shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM10SCT2

SLC500MM20SHN2 200V N MOSFET 500A Automotive 200 V N-Channel MOSFET, 500A Half-Bridge Power Module. VDSS=200V ID nom=500A RDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness Halfbridge Easy paralleling App

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