SLC500MM10SCT2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SLC500MM10SCT2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 694 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 500 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 240 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SLC500MM10SCT2

SLC500MM10SCT2 Datasheet (PDF)

..1. Size:735K cn scilicon
slc500mm10sct2.pdf

SLC500MM10SCT2100V NMOSFET500AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=500ARDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling Ap

5.1. Size:717K cn scilicon
slc500mm15shn2.pdf

SLC500MM15SHN2150V NMOSFET500AAutomotive 150 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=150VID nom=500ARDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

6.1. Size:810K cn scilicon
slc500mm20shn2.pdf

SLC500MM20SHN2200V NMOSFET500AAutomotive 200 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=200VID nom=500ARDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

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Liste

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