AJCS160N08I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AJCS160N08I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 186 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 585 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de AJCS160N08I MOSFET
AJCS160N08I Datasheet (PDF)
ajcs160n08i.pdf

N N-CHANNEL MOSFET AJCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.5m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS DC/DC High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control
ajcs10n65ct.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET AJCS10N65CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10A VDSS 650V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS Electronic ballast UPS UPS Automotive applications High frequency switching
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History: SQ7414CENW | WMJ18N50C4 | IXTT50N30 | 2SJ162 | SWB058R06E7T | 2SK3597-01 | AONS66817
History: SQ7414CENW | WMJ18N50C4 | IXTT50N30 | 2SJ162 | SWB058R06E7T | 2SK3597-01 | AONS66817



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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