AJCS160N08I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AJCS160N08I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 186 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 585 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AJCS160N08I
AJCS160N08I Datasheet (PDF)
ajcs160n08i.pdf
N N-CHANNEL MOSFET AJCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.5m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS DC/DC High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control
ajcs10n65ct.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET AJCS10N65CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10A VDSS 650V Rdson-max 0.95 @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS Electronic ballast UPS UPS Automotive applications High frequency switching
Другие MOSFET... SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 , SLC500MM20SHN2 , SLC700MM10SCN2 , 2N70NL , AJCS10N65CT , MMIS60R580P , JCS10N65B , JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F , JCS10N70S .
History: LBSS139DW1T1G | JCS10N70F | NCE65T130F | SUP65P06-20 | SW1N60A | 2SK2765-01
History: LBSS139DW1T1G | JCS10N70F | NCE65T130F | SUP65P06-20 | SW1N60A | 2SK2765-01
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096



