JCS12N65BEI Todos los transistores

 

JCS12N65BEI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS12N65BEI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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JCS12N65BEI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1489K  jilin sino
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JCS12N65BEI

N RN-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 5.1. Size:1410K  jilin sino
 jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf pdf_icon

JCS12N65BEI

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N65BEI

N RN-CHANNEL MOSFETJCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson@Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 6.2. Size:543K  jilin sino
 jcs12n65f.pdf pdf_icon

JCS12N65BEI

N N- CHANNEL MOSFET RJCS12N65FC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 12 A VDSS 650 V Rdson@Vgs=10V 0.52 Qg 30 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

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History: VS4604ATD | IRF9540PBF | TPA65R180D | MSU18N40 | SSF1341 | BUK9Y6R0-60E | IRFI9630GPBF

 

 
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