JCS12N65BEI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS12N65BEI  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO262

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JCS12N65BEI MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS12N65BEI datasheet

 ..1. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf pdf_icon

JCS12N65BEI

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 5.1. Size:1410K  jilin sino
 jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf pdf_icon

JCS12N65BEI

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N65BEI

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson @Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 6.2. Size:543K  jilin sino
 jcs12n65f.pdf pdf_icon

JCS12N65BEI

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JCS10N70C, JCS10N70F, JCS10N70S, JCS10N80FC, JCS10N80GDC, JCS110N07I, JCS11N90ABT, JCS11N90WT, IRF540N, JCS12N65CEI, JCS12N65FEI, JCS12N65SEI, JCS13AN50BC, JCS13AN50CC, JCS13AN50FC, JCS13AN50SC, JCS13N90ABA