JCS18N25VC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS18N25VC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: IPAK

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JCS18N25VC datasheet

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JCS18N25VC

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

 8.1. Size:948K  jilin sino
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JCS18N25VC

 8.2. Size:1873K  jilin sino
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JCS18N25VC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss @Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

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 jcs18n50we jcs18n50abe.pdf pdf_icon

JCS18N25VC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50WE ABE MAIN CHARACTERISTICS Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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