JCS18N50SE Todos los transistores

 

JCS18N50SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS18N50SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 197.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS18N50SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1873K  jilin sino
 jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdf pdf_icon

JCS18N50SE

N N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss@Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

 6.1. Size:948K  jilin sino
 jcs18n50wh.pdf pdf_icon

JCS18N50SE

N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50WH ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 50nC APPLICATIONS (u l High efficiency swi

 6.2. Size:1269K  jilin sino
 jcs18n50we jcs18n50abe.pdf pdf_icon

JCS18N50SE

N N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50WE ABE MAIN CHARACTERISTICS Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.1. Size:721K  jilin sino
 jcs18n25vc jcs18n25rc jcs18n25cc jcs18n25fc.pdf pdf_icon

JCS18N50SE

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

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History: IRLI3803PBF | NCE80H12

 

 
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