JCS22N50ABC Todos los transistores

 

JCS22N50ABC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS22N50ABC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 337.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 313 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JCS22N50ABC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1447K  jilin sino
 jcs22n50abc jcs22n50wc.pdf pdf_icon

JCS22N50ABC

N N- CHANNEL MOSFET RJCS22N50ABC WC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1646K  jilin sino
 jcs22n50fc.pdf pdf_icon

JCS22N50ABC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS22N50FC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge U

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