JCS22N50ABC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JCS22N50ABC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 313 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO3PB
Аналог (замена) для JCS22N50ABC
JCS22N50ABC Datasheet (PDF)
jcs22n50abc jcs22n50wc.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS22N50ABC WC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
jcs22n50fc.pdf

N N- CHANNEL MOSFET R JCS22N50FC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge U
Другие MOSFET... JCS18N50ABE , JCS18N50BE , JCS18N50CE , JCS18N50FE , JCS18N50SE , JCS18N50WE , JCS20N60WH , JCS20N65FEI , 4435 , JCS22N50FC , JCS22N50WC , JCS2N60N , JCS2N65FC , JCS2N70R , JCS2N70V , JCS2N95RA , JCS2N95VA .
History: BUZ901D | JCS20N60WH | RDN100N20
History: BUZ901D | JCS20N60WH | RDN100N20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a