JCS22N50ABC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS22N50ABC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 313 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

Аналог (замена) для JCS22N50ABC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS22N50ABC даташит

 ..1. Size:1447K  jilin sino
 jcs22n50abc jcs22n50wc.pdf pdf_icon

JCS22N50ABC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS22N50ABC WC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1646K  jilin sino
 jcs22n50fc.pdf pdf_icon

JCS22N50ABC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS22N50FC MAIN CHARACTERISTICS Package ID 22 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.25 Qg-typ 47.59nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge U

Другие IGBT... JCS18N50ABE, JCS18N50BE, JCS18N50CE, JCS18N50FE, JCS18N50SE, JCS18N50WE, JCS20N60WH, JCS20N65FEI, IRFP260, JCS22N50FC, JCS22N50WC, JCS2N60N, JCS2N65FC, JCS2N70R, JCS2N70V, JCS2N95RA, JCS2N95VA