JCS2N95VA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS2N95VA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 950 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: IPAK

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JCS2N95VA datasheet

 ..1. Size:1046K  jilin sino
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JCS2N95VA

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N95A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 950 V Rdson Vgs=10V 4.5 -Max Qg-Typ 14.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

 9.1. Size:1199K  jilin sino
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JCS2N95VA

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JCS2N95VA

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

 9.3. Size:1225K  jilin sino
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JCS2N95VA

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson Vgs=10V 5.0 -MAX Qg-typ 5.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

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