JCS2N95VA datasheet, аналоги, параметры транзистора

JCS2N95VA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS2N95VA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS2N95VA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JCS2N95VA даташит

..1. Size:1046K jilin sino
jcs2n95va jcs2n95ra.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N95A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 950 V Rdson Vgs=10V 4.5 -Max Qg-Typ 14.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

9.1. Size:1199K jilin sino
jcs2n60.pdf pdf_icon

9.2. Size:1813K jilin sino
jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

9.3. Size:1225K jilin sino
jcs2n65vb jcs2n65rb jcs2n65cb jcs2n65fb jcs2n65mb jcs2n65mfb.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N65B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 650 V Rdson Vgs=10V 5.0 -MAX Qg-typ 5.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge