JCS33N25CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS33N25CT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 152 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 46.3 nC
Tiempo de subida (tr): 94 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 369 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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JCS33N25CT Datasheet (PDF)
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N N-CHANNEL MOSFET R JCS33N25CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 33A VDSS 250V RDSON-max 120m @Vgs=10V QG-typ 46.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS
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