JCS33N25CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS33N25CT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 369 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JCS33N25CT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS33N25CT даташит

 ..1. Size:512K  jilin sino
 jcs33n25ct.pdf pdf_icon

JCS33N25CT

N N-CHANNEL MOSFET R JCS33N25CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 33A VDSS 250V RDSON-max 120m @Vgs=10V QG-typ 46.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

Другие IGBT... JCS22N50FC, JCS22N50WC, JCS2N60N, JCS2N65FC, JCS2N70R, JCS2N70V, JCS2N95RA, JCS2N95VA, IRF1010E, JCS3N80B, JCS3N80C, JCS3N80F, JCS3N80R, JCS3N80S, JCS3N80V, JCS40N25ANT, JCS40N25FC