JCS33N25CT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS33N25CT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 152 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46.3 nC
Время нарастания (tr): 94 ns
Выходная емкость (Cd): 369 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JCS33N25CT
JCS33N25CT Datasheet (PDF)
..1. Size:512K jilin sino
jcs33n25ct.pdf
jcs33n25ct.pdf
N N-CHANNEL MOSFET R JCS33N25CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 33A VDSS 250V RDSON-max 120m @Vgs=10V QG-typ 46.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
