Справочник MOSFET. JCS33N25CT

 

JCS33N25CT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS33N25CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 369 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JCS33N25CT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS33N25CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  jilin sino
 jcs33n25ct.pdf pdf_icon

JCS33N25CT

N N-CHANNEL MOSFET R JCS33N25CT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 33A VDSS 250V RDSON-max 120m @Vgs=10V QG-typ 46.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

Другие MOSFET... JCS22N50FC , JCS22N50WC , JCS2N60N , JCS2N65FC , JCS2N70R , JCS2N70V , JCS2N95RA , JCS2N95VA , IRF530 , JCS3N80B , JCS3N80C , JCS3N80F , JCS3N80R , JCS3N80S , JCS3N80V , JCS40N25ANT , JCS40N25FC .

 

 
Back to Top

 


 
.