JCS5AN50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS5AN50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 18.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS5AN50C
JCS5AN50C Datasheet (PDF)
jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![JCS5AN50C](https://alltransistors.com/images/us.png)
![JCS5AN50C](https://alltransistors.com/images/es.png)
![JCS5AN50C](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPVD5N50CCFD | MPVU5N50CCFD | MPVA7N65F | MPVD4N70F | MPVU4N70F | MPVA4N70F | MPVD4N65F | MPVU4N65F | MPVA4N65F | MPVD2N65BK | MPVU2N65BK | MPVA2N65BK | MPVP20N65F | MPVA20N65F | MPVA20N50F | MPVT20N50B