JCS5AN50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS5AN50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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JCS5AN50C Datasheet (PDF)

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jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

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Liste

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