JCS5AN50C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS5AN50C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64.48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JCS5AN50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS5AN50C даташит

 ..1. Size:2444K  jilin sino
 jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf pdf_icon

JCS5AN50C

Другие IGBT... JCS4AN120CA, JCS4AN120FA, JCS4AN120SA, JCS4N90CA, JCS4N90FA, JCS4N90RA, JCS4N90SA, JCS4N90VA, AO3407, JCS5AN50F, JCS5AN50R, JCS5AN50V, JCS60N10I, JCS620CT, JCS620FT, JCS620RT, JCS620VT