JCS6AN135WA Todos los transistores

 

JCS6AN135WA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS6AN135WA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 498 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS6AN135WA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1043K  jilin sino
 jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf pdf_icon

JCS6AN135WA

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V RdsonVgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies

 8.1. Size:1142K  jilin sino
 jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf pdf_icon

JCS6AN135WA

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

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History: WMN07N70C4 | BUK7Y153-100E | 2N60G-TF1-T | RU3010H | VN2110 | SIHG30N60E | IMW120R140M1H

 

 
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