JCS6AN135WA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JCS6AN135WA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 498 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1350 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 52.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для JCS6AN135WA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JCS6AN135WA даташит
jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V Rdson Vgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies
jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
Другие IGBT... JCS5AN50V, JCS60N10I, JCS620CT, JCS620FT, JCS620RT, JCS620VT, JCS640SH, JCS6AN135ABA, AO3400A, JCS6AN70F, JCS6AN70R, JCS6AN70V, JCS6N70VC, JCS6N90BA, JCS6N90CA, JCS6N90FA, JCS6N90GDA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945


