JCS7N65VE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS7N65VE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: IPAK

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JCS7N65VE datasheet

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JCS7N65VE

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max 1.1 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:600K  jilin sino
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JCS7N65VE

 7.2. Size:757K  jilin sino
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JCS7N65VE

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N65B MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 650 V Package Rdson-max 1.3 (@Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N65VE

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