JCS7N65VE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS7N65VE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS7N65VE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS7N65VE даташит

 ..1. Size:2018K  jilin sino
 jcs7n65ve jcs7n65re jcs7n65ce jcs7n65se jcs7n65be jcs7n65fe.pdf pdf_icon

JCS7N65VE

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max 1.1 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:600K  jilin sino
 jcs7n65.pdf pdf_icon

JCS7N65VE

 7.2. Size:757K  jilin sino
 jcs7n65bb jcs7n65sb jcs7n65cb jcs7n65fb.pdf pdf_icon

JCS7N65VE

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N65B MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 650 V Package Rdson-max 1.3 (@Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N65VE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS7N120WA, JCS7N60R, JCS7N60V, JCS7N65BE, JCS7N65CE, JCS7N65FE, JCS7N65RE, JCS7N65SE, IRF730, JCS7N70B, JCS7N70C, JCS7N70F, JCS7N70FE, JCS7N70R, JCS7N70S, JCS7N70V, JCS7N80FC