JCS86N25WT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS86N25WT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 788 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 734 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de JCS86N25WT MOSFET
JCS86N25WT Datasheet (PDF)
jcs86n25wt jcs86n25abt jcs86n25gct.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS86N25T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 86 A VDSS 250 V RdsonVgs=10V 50m -MAX Qg-Typ 123 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power suppli
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History: STP40NF12 | NCEP40T35ALL | PC015BD | 1N65L-TA3-T | RJK03E8DPA | SUP65P06-20 | 1N60G-TND-R
History: STP40NF12 | NCEP40T35ALL | PC015BD | 1N65L-TA3-T | RJK03E8DPA | SUP65P06-20 | 1N60G-TND-R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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