JCS86N25WT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS86N25WT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 788 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 86 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 123 nC
Tiempo de subida (tr): 120.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 734 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS86N25WT
JCS86N25WT Datasheet (PDF)
..1. Size:543K jilin sino
jcs86n25wt jcs86n25abt jcs86n25gct.pdf
jcs86n25wt jcs86n25abt jcs86n25gct.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS86N25T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 86 A VDSS 250 V RdsonVgs=10V 50m -MAX Qg-Typ 123 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power suppli
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .