JCS9AN50FC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS9AN50FC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 18.9 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 121 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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JCS9AN50FC Datasheet (PDF)
jcs9an50vc jcs9an50rc jcs9an50cc jcs9an50fc.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS9AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEAT
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History: SVSP11N65FJHD2