JCS9AN50RC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS9AN50RC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: DPAK
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JCS9AN50RC datasheet
jcs9an50vc jcs9an50rc jcs9an50cc jcs9an50fc.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS9AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEAT
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