Справочник MOSFET. JCS9AN50RC

 

JCS9AN50RC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS9AN50RC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18.9 nC
   Время нарастания (tr): 31 ns
   Выходная емкость (Cd): 121 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для JCS9AN50RC

 

 

JCS9AN50RC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2042K  jilin sino
 jcs9an50vc jcs9an50rc jcs9an50cc jcs9an50fc.pdf

JCS9AN50RC JCS9AN50RC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEAT

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HD840U

 

 
Back to Top