MP18N50EIF Todos los transistores

 

MP18N50EIF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP18N50EIF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 83.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 283 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MP18N50EIF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  jilin sino
 mp18n50eif mp18n50eic.pdf pdf_icon

MP18N50EIF

N N- CHANNEL MOSFET RMP18N50EI MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 67.8nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 9.1. Size:591K  trinnotech
 tmp18n20z tmpf18n20z.pdf pdf_icon

MP18N50EIF

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

 9.2. Size:708K  way-on
 wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf pdf_icon

MP18N50EIF

WML18 WMK18N78N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N78N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

 9.3. Size:708K  way-on
 wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf pdf_icon

MP18N50EIF

WML18 WMK18N68N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N68N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

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History: 4N80L-TND-R | UF1404

 

 
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