MP18N50EIF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MP18N50EIF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 83.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для MP18N50EIF
MP18N50EIF Datasheet (PDF)
mp18n50eif mp18n50eic.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RMP18N50EI MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 67.8nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
tmp18n20z tmpf18n20z.pdf

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf

WML18 WMK18N78N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N78N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf

WML18 WMK18N68N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N68N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is
Другие MOSFET... MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS , MP15N60EIB , MP15N60EIC , MP15N60EIF , MP15N60EIS , MP18N50EIC , IRF530 , MP20N60EI , MP2N60ER , MP4N150 , MP4N50FR , MP4N60ER , MP7AN65EC , MP7AN65EF , MP7AN65ER .
History: 2SK2765-01 | AP4438GYT-HF | PTY12HN06 | FDZ7296 | CS1N60 | AFP2301 | SSF2816EB
History: 2SK2765-01 | AP4438GYT-HF | PTY12HN06 | FDZ7296 | CS1N60 | AFP2301 | SSF2816EB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733